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中芯网搜索:IGBT(芯片和元器件 - 产品搜索在全部类型)

  • SGM100HF12A1V1 - IGBT模块

    SGM100HF12A1V1 BVCE[V] :1200IC [A] :100饱和压降(Max):2.3VVGE[th][V] :5.0~7.0VCE(sat).typ@25℃[V] :2VCE(sat).typ@125℃[V] :2.2Package:A1 逆变器、空调、电机驱动
    电子元器件

  • SGM100HF12A1V2 - IGBT模块

    SGM100HF12A1V2 BVCE[V] :1200IC [A] :100饱和压降(Max):2.5VVGE[th][V] :5.0~7.0VCE(sat).typ@25℃[V] :2VCE(sat).typ@125℃[V] :2.2Package:A1 逆变器、空调、电机驱动
    电子元器件

  • SGM100HF12A3V1 - IGBT模块

    SGM100HF12A3V1 BVCE[V] :1200IC [A] :100饱和压降(Max):2.2VVGE[th][V] :5.0~7.0VCE(sat).typ@25℃[V] :1.9VCE(sat).typ@125℃[V] :2Package:A3 逆变器、空调、电机驱动
    电子元器件

  • SGM100HF12A3V2 - IGBT模块

    SGM100HF12A3V2 BVCE[V] :1200IC [A] :100饱和压降(Max):2.4VVGE[th][V] :5.0~7.0VCE(sat).typ@25℃[V] :1.9VCE(sat).typ@125℃[V] :2Package:A3 逆变器、空调、电机驱动
    电子元器件

  • SGM150HF12A3V2 - IGBT模块

    SGM150HF12A3V2 BVCE[V] :1200IC [A] :150饱和压降(Max):2.5VVGE[th][V] :5.0~6.5VCE(sat).typ@25℃[V] :2.2VCE(sat).typ@125℃[V] :2.4Package:A3 逆变器、空调、电机驱动
    电子元器件

  • SGM200HF12A3V2 - IGBT模块

    SGM200HF12A3V2 BVCE[V] :1200IC [A] :200饱和压降(Max):2.6VVGE[th][V] :5.0~6.5VCE(sat).typ@25℃[V] :2.3VCE(sat).typ@125℃[V] :2.5Package:A3 逆变器、空调、电机驱动
    电子元器件

  • SGT10N60QD1F - IGBT

    SGT10N60QD1F BVceo[V] :600VGS [±V] :20IC @100℃ [A] :10VGE[th][V] :3.5~6.5VCE(sat).Max@25℃[V] :2.4Package:TO-220F-3L 电机逆变器
    电子元器件

  • SGT10N60QD1T - IGBT

    SGT10N60QD1T BVceo[V] :600VGS [±V] :20IC @100℃ [A] :10VGE[th][V] :3.5~6.5VCE(sat).Max@25℃[V] :2.4Package:TO-220-3L
    电子元器件

  • SGT15N60NPFDF - IGBT

    SGT15N60NPFDF BVceo[V] :600VGS [±V] :20IC @100℃ [A] :15VGE[th][V] :4.0~6.5VCE(sat).Max@25℃[V] :2.5Package:TO-220F-3L 电机逆变器
    电子元器件

  • SGT20N60NPFDF - IGBT

    SGT20N60NPFDF BVceo[V] :600VGS [±V] :20IC @100℃ [A] :20VGE[th][V] :4.0~7.0VCE(sat).Max@25℃[V] :2.5Package:TO-220F-3L 电机逆变器
    电子元器件

  • SGT20N60FD1PN - IGBT

    SGT20N60FD1PN BVceo[V] :600VGS [±V] :20IC @100℃ [A] :20VGE[th][V] :4.0~6.5VCE(sat).Max@25℃[V] :2.7Package:TO-3P 电机逆变器
    电子元器件

  • SGT40N60NPFDPN - IGBT

    SGT40N60NPFDPN BVceo[V] :600VGS [±V] :20IC @100℃ [A] :40VGE[th][V] :4.0~6.5VCE(sat).Max@25℃[V] :2.7Package:TO-3P 电焊机、变频器、光伏逆变器
    电子元器件

  • SGT40N60FD1P7 - IGBT

    SGT40N60FD1P7 BVceo[V] :600VGS [±V] :20IC @100℃ [A] :40VGE[th][V] :4.0~6.5VCE(sat).Max@25℃[V] :2.7Package:TO-247-3L 电焊机、变频器、光伏逆变器
    电子元器件

  • KDG120N01HD - 1200V IGBT

    KDG120N01HD 产品名称:1200V IGBT 产品型号:KDG120N01HD产品描述:1200V,20A,Vce(on)(typ)=2.3V@Vge=15VHigh speed switchingHigher system efficiencySoft current turn-off waveformsSquare RBSOA using NPT technology参数:配置:Single-N是否配有二极管:有VCES(集电极-发射极电压):1200VVGE(门极-发射极电压):30VIc(连...
    电子元器件

  • KDG60N02P - 600V IGBT

    KDG60N02P 产品名称:600V IGBT 产品型号:KDG60N02P产品描述:参数:配置:Single-N是否配有二极管:无VCES(集电极-发射极电压):600VVGE(门极-发射极电压):20VIc(连续集电极电流):40A 25 C时 20A 100 C时VGE(th)(门极临界电压)4~6VVCE(sat)(集电极-发射极饱和电压):1.72V 当VGE=15V时封装:T...
    电子元器件

  • KDG30N120H - 1200V IGBT

    KDG30N120H 产品名称:1200V IGBT 产品型号:KDG30N120H产品描述:参数:配置:Single-N是否配有二极管:有VCES(集电极-发射极电压):1200VVGE(门极-发射极电压):30VIc(连续集电极电流):58A 25 C时 28A 100 C时VGE(th)(门极临界电压)4~6VVCE(sat)(集电极-发射极饱和电压):2.35V 当VGE=15V时封...
    电子元器件

  • KDG120N04BD - 1200V IGBT

    KDG120N04BD 产品名称:1200V IGBT 产品型号:KDG120N04BD产品描述:参数:配置:Single-N是否配有二极管:有VCES(集电极-发射极电压):1200VVGE(门极-发射极电压):30VIc(连续集电极电流):10A 25 C时 5A 100 C时VGE(th)(门极临界电压)4~6VVCE(sat)(集电极-发射极饱和电压):1.3V 当VGE=15V时封...
    电子元器件

  • KDG25N120H1 - 1200V IGBT

    KDG25N120H1 产品名称:1200V IGBT 产品型号:KDG25N120H1产品描述:1200V,25A,VCE(sat)(typ.)=2.5V@VGE=15V High speed switching Higher system efficiency Soft current turn-off waveforms 参数:配置:Single-N是否配有二极管:有VCES(集电极-发射极电压):1200VVGE(门极-发射极电压):30VIc(连续集电极电流):50A 25 C时 ...
    电子元器件

  • KDG20N120H - 1200V IGBT

    KDG20N120H 产品名称:1200V IGBT 产品型号:KDG20N120H产品描述:1200V,20A,Vce(on)(typ)=2.3V@Vge=15VHigh speed switchingHigher system efficiencySoft current turn-off waveformsSquare RBSOA using NPT technology参数:配置:Single-N是否配有二极管:有VCES(集电极-发射极电压):1200VVGE(门极-发射极电压):30VIc(连续...
    电子元器件

  • KDG60N01P - 600V IGBT

    KDG60N01P 产品名称:600V IGBT 产品型号:KDG60N01P产品描述:参数:配置:Single-N是否配有二极管:无VCES(集电极-发射极电压):600VVGE(门极-发射极电压):20VIc(连续集电极电流):23A 25 C时 12A 100 C时VGE(th)(门极临界电压)4~6VVCE(sat)(集电极-发射极饱和电压):1.95V 当VGE=15V时封装:T...
    电子元器件

  • PN7003 - 具有保护功能的门极驱动芯片

    ...PN7003是一款可以提供大电流输出、方便易用的智能化门极驱动,并且会对输出级的IGBT进行故障检测,反馈结果,“唤醒”工作,保证IGBT的安全工作。 Character:Low side driverVOFFSET(max):30VIO+/-(typ.):500/900mAVin:10V~30VTon/Off(typ.):350&240nsDeadtime(typ.):--OUT phase:OU...
    驱动芯片

  • PN7006 - 高低侧栅驱动芯片

    ...Driver PN7006是一款基于P衬底、P外延的高压、高速功率MOSFET和IGBT高低侧驱动芯片。其浮地通道能工作在200V的高压下,可用于驱动2个N型功率MOSFET或IGBT结构。 Character:High and Low side driverVOFFSET(max):120VIO+/-(typ.):400/700mAVin:10V~20VTon/Off(typ.):65&65nsDeadtime(t...
    驱动芯片

  • PN7101 - 高低侧栅驱动芯片

    ...Driver PN7101是一款基于P衬底、P外延的高压、高速功率MOSFET和IGBT高低侧驱动芯片。其浮地通道能工作在600V的高压下,可用于驱动2个N型功率MOSFET或IGBT结构。 Character:High and Low side driverVOFFSET(max):600VIO+/-(typ.):300/600mAVin:10V~20VTon/Off(typ.):160&150nsDeadtime...
    驱动芯片

  • PN7308 - 半桥驱动芯片

    ...Driver PN7308是一款基于P衬底、P外延的高压、高速功率MOSFET和IGBT高低侧驱动芯片。其浮地通道能工作在600V的高压下,可用于驱动2个N型功率MOSFET或IGBT结构。 Character:Half-Bridge driverVOFFSET(max):600VIO+/-(typ.):450/1000mAVin:10V~20VTon/Off(typ.):220&200nsDeadtime(typ....
    驱动芯片

  • PN7113 - 高低侧栅驱动芯片

    ...Driver PN7113是一款基于P衬底、P外延的高压、高速功率MOSFET和IGBT高低侧驱动芯片。其浮地通道能工作在600V的高压下,可用于驱动2个N型功率MOSFET或IGBT结构。 Character:High and Low side driverVOFFSET(max):600VIO+/-(typ.):3.0/4.0AVin:10V~20VTon/Off(typ.):170&150nsDeadtime(...
    驱动芯片

  • PN7103 - 半桥驱动芯片

    ...Driver PN7103是一款基于P衬底、P外延的高压、高速功率MOSFET和IGBT高低侧驱动芯片。其浮地通道能工作在600V的高压下,可用于驱动2个N型功率MOSFET或IGBT组成的半桥结构。 Character:Half-Bridge driverVOFFSET(max):600VIO+/-(typ.):300/600mAVin:10V~20VTon/Off(typ.):680&150nsDead...
    驱动芯片

  • PN7106A - 高低侧栅驱动芯片

    ...river PN7106A是一款基于P衬底、P外延的高压、高速功率MOSFET和IGBT高低侧驱动芯片。其浮地通道能工作在600V的高压下,可用于驱动2个N型功率MOSFET或IGBT构成的半桥结构(版本B),或者其他高低侧结构(版本A)。 Character:High and Low side driverVOFFSET(max):600VIO+/-(typ.):400/9...
    驱动芯片

  • PN7106B - 高低侧栅驱动芯片

    ...river PN7106B是一款基于P衬底、P外延的高压、高速功率MOSFET和IGBT高低侧驱动芯片。其浮地通道能工作在600V的高压下,可用于驱动2个N型功率MOSFET或IGBT构成的半桥结构(版本B),或者其他高低侧结构(版本A)。 Character:High and Low side driverVOFFSET(max):600VIO+/-(typ.):400/9...
    驱动芯片

  • PN7136 - 3相半桥驱动

    ...,Driver PN7136是一款具有三相独立输出的高压、高速功率MOSFET和IGBT高低侧驱动芯片。其浮地通道能工作在600V的高压下,可用于驱动2个N型功率MOSFET或IGBT组成的半桥结构。 Character:3-Phase Bridge driverVOFFSET(max):600VIO+/-(typ.):300/600mAVin:10V~20VTon/Off(typ.):540&540ns...
    驱动芯片

  • SD30M60AC - 高压电机驱动模块

    ...主要应用于较低功率的变频驱动,如空调、洗碗机、工业缝纫机等。其内置了6个低损耗的IGBT管和3个高速半桥高压栅极驱动电路。SD20M60AC内部集成了欠压、短路、过温等各种电路,提供了优异的保护和宽泛的安全工作范围。由于每一相都有一个独立的负直流端,其电流可以分别单独检测。SD23M60AC...
    驱动芯片

  • SD20M60A - 高压电机驱动模块

    ...主要应用于较低功率的变频驱动,如空调、洗碗机、工业缝纫机等。其内置了6个低损耗的IGBT管和3个高速半桥高压栅极驱动电路。SD20M60A内部集成了欠压、短路、过温等各种电路,提供了优异的保护和宽泛的安全工作范围。由于每一相都有一个独立的负直流端,其电流可以分别单独检测。SD20M60A采...
    驱动芯片

  • SD20M60AC - 高压电机驱动模块

    ...主要应用于较低功率的变频驱动,如空调、洗碗机、工业缝纫机等。其内置了6个低损耗的IGBT管和3个高速半桥高压栅极驱动电路。SD20M60AC内部集成了欠压、短路、过温等各种电路,提供了优异的保护和宽泛的安全工作范围。由于每一相都有一个独立的负直流端,其电流可以分别单独检测。SD20M60AC...
    驱动芯片

  • SDH2106 - 栅极驱动器SDH2106

    ...06SATR SDH2106DA/SDH2106SA是用作N型功率MOSFET和IGBT等高压功率器件的半桥驱动电路。它内置欠压保护,防止功率管在低的控制电压下工作;具有高低侧输入信号双高互锁保护功能,可确保功率管上下桥臂不会同时导通。高压半桥驱动电路 高侧浮动绝对电压600V输出电流+0.25A/-0.65A输入逻辑兼容...
    驱动芯片

  • SDH2136 - 栅极驱动器

    SDH2136 SDH2136是用作N型功率MOSFET和IGBT等高压、高速功率器件的三相栅极驱动电路,主要包含三个独立的半桥驱动电路。内置死区时间,可确保功率管上下桥臂不会同时导通。内置输入信号滤波,防止噪声干扰。提供外部使能控制可同时关断六通道输出。此外,它还具有欠压保护和过流保护功能,出现异常时立即关断六通道输出。三相半桥驱...
    驱动芯片

  • SD15M60AC - 高压电机驱动模块

    SD15M60AC 类别:三相全桥驱动智能功率模块规格:600V/15AIGBT+FRD:YOCP:YTSD:YUV:YBSD:Y封装形式:DIP27 空调、冰箱、伺服、变频器
    驱动芯片

  • CYT8562 - 临界电流控制模式 PFC 控制器

    ...供600mA 的源电流和800mA 的灌电流,适用于驱动大电流的MOSFET 或IGBT。结合其他功能和特定时间继电器控制运行的潜在价值,让设备在最优低成本时能实现EN61000-3-2 并满足350W 开关式电源的兼容。参数:低总谐波失真■ 非常准确的可调输出过压保护■ 低启动电流:30uA■ 低静态电流:(2.5mA...
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