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SGM100HF12A1V1 BVCE[V] ：1200IC [A] ：100饱和压降(Max)：2.3VVGE[th][V] ：5.0～7.0VCE(sat).typ@25℃[V] ：2VCE(sat).typ@125℃[V] ：2.2Package：A1 逆变器、空调、电机驱动
【电子元器件】
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SGM100HF12A1V2 BVCE[V] ：1200IC [A] ：100饱和压降(Max)：2.5VVGE[th][V] ：5.0～7.0VCE(sat).typ@25℃[V] ：2VCE(sat).typ@125℃[V] ：2.2Package：A1 逆变器、空调、电机驱动
【电子元器件】
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SGM100HF12A3V1 BVCE[V] ：1200IC [A] ：100饱和压降(Max)：2.2VVGE[th][V] ：5.0～7.0VCE(sat).typ@25℃[V] ：1.9VCE(sat).typ@125℃[V] ：2Package：A3 逆变器、空调、电机驱动
【电子元器件】
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SGM100HF12A3V2 BVCE[V] ：1200IC [A] ：100饱和压降(Max)：2.4VVGE[th][V] ：5.0～7.0VCE(sat).typ@25℃[V] ：1.9VCE(sat).typ@125℃[V] ：2Package：A3 逆变器、空调、电机驱动
【电子元器件】
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SGM150HF12A3V2 BVCE[V] ：1200IC [A] ：150饱和压降(Max)：2.5VVGE[th][V] ：5.0～6.5VCE(sat).typ@25℃[V] ：2.2VCE(sat).typ@125℃[V] ：2.4Package：A3 逆变器、空调、电机驱动
【电子元器件】
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SGM200HF12A3V2 BVCE[V] ：1200IC [A] ：200饱和压降(Max)：2.6VVGE[th][V] ：5.0～6.5VCE(sat).typ@25℃[V] ：2.3VCE(sat).typ@125℃[V] ：2.5Package：A3 逆变器、空调、电机驱动
【电子元器件】
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SGT10N60QD1F BVceo[V] ：600VGS [±V] ：20IC @100℃ [A] ：10VGE[th][V] ：3.5～6.5VCE(sat).Max@25℃[V] ：2.4Package：TO-220F-3L 电机逆变器
【电子元器件】
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SGT10N60QD1T BVceo[V] ：600VGS [±V] ：20IC @100℃ [A] ：10VGE[th][V] ：3.5～6.5VCE(sat).Max@25℃[V] ：2.4Package：TO-220-3L
【电子元器件】
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SGT15N60NPFDF BVceo[V] ：600VGS [±V] ：20IC @100℃ [A] ：15VGE[th][V] ：4.0～6.5VCE(sat).Max@25℃[V] ：2.5Package：TO-220F-3L 电机逆变器
【电子元器件】
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SGT20N60NPFDF BVceo[V] ：600VGS [±V] ：20IC @100℃ [A] ：20VGE[th][V] ：4.0～7.0VCE(sat).Max@25℃[V] ：2.5Package：TO-220F-3L 电机逆变器
【电子元器件】
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SGT20N60FD1PN BVceo[V] ：600VGS [±V] ：20IC @100℃ [A] ：20VGE[th][V] ：4.0～6.5VCE(sat).Max@25℃[V] ：2.7Package：TO-3P 电机逆变器
【电子元器件】
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SGT40N60NPFDPN BVceo[V] ：600VGS [±V] ：20IC @100℃ [A] ：40VGE[th][V] ：4.0～6.5VCE(sat).Max@25℃[V] ：2.7Package：TO-3P 电焊机、变频器、光伏逆变器
【电子元器件】
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SGT40N60FD1P7 BVceo[V] ：600VGS [±V] ：20IC @100℃ [A] ：40VGE[th][V] ：4.0～6.5VCE(sat).Max@25℃[V] ：2.7Package：TO-247-3L 电焊机、变频器、光伏逆变器
【电子元器件】
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KDG120N01HD 产品名称：1200V IGBT 产品型号：KDG120N01HD产品描述：1200V,20A,Vce(on)(typ)=2.3V@Vge=15VHigh speed switchingHigher system efficiencySoft current turn-off waveformsSquare RBSOA using NPT technology参数：配置：Single-N是否配有二极管：有VCES(集电极-发射极电压):1200VVGE（门极-发射极电压）：30VIc（连...
【电子元器件】
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KDG60N02P 产品名称：600V IGBT 产品型号：KDG60N02P产品描述：参数：配置：Single-N是否配有二极管：无VCES(集电极-发射极电压):600VVGE（门极-发射极电压）：20VIc（连续集电极电流）：40A 25 C时 20A 100 C时VGE（th）（门极临界电压）4~6VVCE（sat）(集电极-发射极饱和电压)：1.72V 当VGE=15V时封装：T...
【电子元器件】
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KDG30N120H 产品名称：1200V IGBT 产品型号：KDG30N120H产品描述：参数：配置：Single-N是否配有二极管：有VCES(集电极-发射极电压):1200VVGE（门极-发射极电压）：30VIc（连续集电极电流）：58A 25 C时 28A 100 C时VGE（th）（门极临界电压）4~6VVCE（sat）(集电极-发射极饱和电压)：2.35V 当VGE=15V时封...
【电子元器件】
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KDG120N04BD 产品名称：1200V IGBT 产品型号：KDG120N04BD产品描述：参数：配置：Single-N是否配有二极管：有VCES(集电极-发射极电压):1200VVGE（门极-发射极电压）：30VIc（连续集电极电流）：10A 25 C时 5A 100 C时VGE（th）（门极临界电压）4~6VVCE（sat）(集电极-发射极饱和电压)：1.3V 当VGE=15V时封...
【电子元器件】
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KDG25N120H1 产品名称：1200V IGBT 产品型号：KDG25N120H1产品描述：1200V,25A,VCE(sat)(typ.)=2.5V@VGE=15V High speed switching Higher system efficiency Soft current turn-off waveforms 参数：配置：Single-N是否配有二极管：有VCES(集电极-发射极电压):1200VVGE（门极-发射极电压）：30VIc（连续集电极电流）：50A 25 C时 ...
【电子元器件】
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KDG20N120H 产品名称：1200V IGBT 产品型号：KDG20N120H产品描述：1200V,20A,Vce(on)(typ)=2.3V@Vge=15VHigh speed switchingHigher system efficiencySoft current turn-off waveformsSquare RBSOA using NPT technology参数：配置：Single-N是否配有二极管：有VCES(集电极-发射极电压):1200VVGE（门极-发射极电压）：30VIc（连续...
【电子元器件】
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KDG60N01P 产品名称：600V IGBT 产品型号：KDG60N01P产品描述：参数：配置：Single-N是否配有二极管：无VCES(集电极-发射极电压):600VVGE（门极-发射极电压）：20VIc（连续集电极电流）：23A 25 C时 12A 100 C时VGE（th）（门极临界电压）4~6VVCE（sat）(集电极-发射极饱和电压)：1.95V 当VGE=15V时封装：T...
【电子元器件】
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...PN7003是一款可以提供大电流输出、方便易用的智能化门极驱动，并且会对输出级的IGBT进行故障检测，反馈结果，“唤醒”工作，保证IGBT的安全工作。 Character：Low side driverVOFFSET(max)：30VIO+/-(typ.)：500/900mAVin：10V~30VTon/Off(typ.)：350&240nsDeadtime(typ.)：--OUT phase：OU...
【驱动芯片】
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...Driver PN7006是一款基于P衬底、P外延的高压、高速功率MOSFET和IGBT高低侧驱动芯片。其浮地通道能工作在200V的高压下，可用于驱动2个N型功率MOSFET或IGBT结构。 Character：High and Low side driverVOFFSET(max)：120VIO+/-(typ.)：400/700mAVin：10V~20VTon/Off(typ.)：65&65nsDeadtime(t...
【驱动芯片】
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...Driver PN7101是一款基于P衬底、P外延的高压、高速功率MOSFET和IGBT高低侧驱动芯片。其浮地通道能工作在600V的高压下，可用于驱动2个N型功率MOSFET或IGBT结构。 Character：High and Low side driverVOFFSET(max)：600VIO+/-(typ.)：300/600mAVin：10V~20VTon/Off(typ.)：160&150nsDeadtime...
【驱动芯片】
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...Driver PN7308是一款基于P衬底、P外延的高压、高速功率MOSFET和IGBT高低侧驱动芯片。其浮地通道能工作在600V的高压下，可用于驱动2个N型功率MOSFET或IGBT结构。 Character：Half-Bridge driverVOFFSET(max)：600VIO+/-(typ.)：450/1000mAVin：10V~20VTon/Off(typ.)：220&200nsDeadtime(typ....
【驱动芯片】
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...Driver PN7113是一款基于P衬底、P外延的高压、高速功率MOSFET和IGBT高低侧驱动芯片。其浮地通道能工作在600V的高压下，可用于驱动2个N型功率MOSFET或IGBT结构。 Character：High and Low side driverVOFFSET(max)：600VIO+/-(typ.)：3.0/4.0AVin：10V~20VTon/Off(typ.)：170&150nsDeadtime(...
【驱动芯片】
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...Driver PN7103是一款基于P衬底、P外延的高压、高速功率MOSFET和IGBT高低侧驱动芯片。其浮地通道能工作在600V的高压下，可用于驱动2个N型功率MOSFET或IGBT组成的半桥结构。 Character：Half-Bridge driverVOFFSET(max)：600VIO+/-(typ.)：300/600mAVin：10V~20VTon/Off(typ.)：680&150nsDead...
【驱动芯片】
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...river PN7106A是一款基于P衬底、P外延的高压、高速功率MOSFET和IGBT高低侧驱动芯片。其浮地通道能工作在600V的高压下，可用于驱动2个N型功率MOSFET或IGBT构成的半桥结构（版本B），或者其他高低侧结构（版本A）。 Character：High and Low side driverVOFFSET(max)：600VIO+/-(typ.)：400/9...
【驱动芯片】
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...river PN7106B是一款基于P衬底、P外延的高压、高速功率MOSFET和IGBT高低侧驱动芯片。其浮地通道能工作在600V的高压下，可用于驱动2个N型功率MOSFET或IGBT构成的半桥结构（版本B），或者其他高低侧结构（版本A）。 Character：High and Low side driverVOFFSET(max)：600VIO+/-(typ.)：400/9...
【驱动芯片】
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...,Driver PN7136是一款具有三相独立输出的高压、高速功率MOSFET和IGBT高低侧驱动芯片。其浮地通道能工作在600V的高压下，可用于驱动2个N型功率MOSFET或IGBT组成的半桥结构。 Character：3-Phase Bridge driverVOFFSET(max)：600VIO+/-(typ.)：300/600mAVin：10V~20VTon/Off(typ.)：540&540ns...
【驱动芯片】
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...主要应用于较低功率的变频驱动，如空调、洗碗机、工业缝纫机等。其内置了6个低损耗的IGBT管和3个高速半桥高压栅极驱动电路。SD20M60AC内部集成了欠压、短路、过温等各种电路，提供了优异的保护和宽泛的安全工作范围。由于每一相都有一个独立的负直流端，其电流可以分别单独检测。SD23M60AC...
【驱动芯片】
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...主要应用于较低功率的变频驱动，如空调、洗碗机、工业缝纫机等。其内置了6个低损耗的IGBT管和3个高速半桥高压栅极驱动电路。SD20M60A内部集成了欠压、短路、过温等各种电路，提供了优异的保护和宽泛的安全工作范围。由于每一相都有一个独立的负直流端，其电流可以分别单独检测。SD20M60A采...
【驱动芯片】
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...主要应用于较低功率的变频驱动，如空调、洗碗机、工业缝纫机等。其内置了6个低损耗的IGBT管和3个高速半桥高压栅极驱动电路。SD20M60AC内部集成了欠压、短路、过温等各种电路，提供了优异的保护和宽泛的安全工作范围。由于每一相都有一个独立的负直流端，其电流可以分别单独检测。SD20M60AC...
【驱动芯片】
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...06SATR SDH2106DA/SDH2106SA是用作N型功率MOSFET和IGBT等高压功率器件的半桥驱动电路。它内置欠压保护，防止功率管在低的控制电压下工作；具有高低侧输入信号双高互锁保护功能，可确保功率管上下桥臂不会同时导通。高压半桥驱动电路 高侧浮动绝对电压600V输出电流+0.25A/-0.65A输入逻辑兼容...
【驱动芯片】
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SDH2136 SDH2136是用作N型功率MOSFET和IGBT等高压、高速功率器件的三相栅极驱动电路，主要包含三个独立的半桥驱动电路。内置死区时间，可确保功率管上下桥臂不会同时导通。内置输入信号滤波，防止噪声干扰。提供外部使能控制可同时关断六通道输出。此外，它还具有欠压保护和过流保护功能，出现异常时立即关断六通道输出。三相半桥驱...
【驱动芯片】
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SD15M60AC 类别：三相全桥驱动智能功率模块规格：600V/15AIGBT+FRD：YOCP：YTSD：YUV：YBSD：Y封装形式：DIP27 空调、冰箱、伺服、变频器
【驱动芯片】
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...供600mA 的源电流和800mA 的灌电流，适用于驱动大电流的MOSFET 或IGBT。结合其他功能和特定时间继电器控制运行的潜在价值，让设备在最优低成本时能实现EN61000-3-2 并满足350W 开关式电源的兼容。参数：低总谐波失真■ 非常准确的可调输出过压保护■ 低启动电流：30uA■ 低静态电流：(2.5mA...
【电源管理芯片】