中微半导体设备(上海)有限公司

公司名称:中微半导体设备(上海)有限公司
英文名称:Advanced Micro-Fabrication Equipment Inc.
所属地区:上海市厂商类型:设备厂商
数据提供:上海集成电路行业协会提供

公司简介

中微半导体设备(上海)有限公司是一家面向全球的微观加工高端设备公司,为半导体行业及其他高科技领域服务。中微第一代刻蚀设备用于加工直径为300毫米、65-45纳米的晶圆片。现在,中微的最新一代产品已经瞄准了超先进性、高复杂度的22纳米及以上的芯片刻蚀加工。

产品技术:

+ Primo D-RIE  300毫米甚高频去耦合反应离子刻蚀设备:中微自主研发的300毫米甚高频去耦合反应离子刻蚀设备可以用于加工64/45/28纳米氧化硅(SiO),氮化硅(SiN)及低介电系数(low K)膜层等不同电介质材料。高生产率、高性能的小批量多反应器系统可以灵活地装置多达三个双反应台反应器,以达到最佳芯片加工输出量。每个反应器都可以实现单芯片或双芯片加工。该设备具有独特的专利创新技术,包括甚高频和低频混合射频去耦合反应离子刻蚀的等离子体源,等离子隔离环及碳化硅喷淋头设计等。

+ Primo AD-RIE  第二代电介质刻蚀设备:Primo AD-RIE是中微公司用于流程前端(FEOL)及后端(BEOL)关键刻蚀应用的第二代电介质刻蚀设备,主要用于22纳米及以下的芯片刻蚀加工基于前一代产品Primo D-RIE刻蚀设备已被业界认可的性能和良好的运行记录,Primo AD-RIE做了进一步的改进:采用了具有自主知识产权的可切换低频的射频设计,优化了上电极气流分布及下电极温度调控的设计。Primo AD-RIE已经成功通过了3000片晶片马拉松测试。除已证实其具备更优越的重复性及稳定性以外,该产品还可将晶片上关键尺寸均匀度控制在2纳米内。

+ Primo TSV  200E 8英寸硅通孔(TSV)刻蚀设备:中微的8英寸硅通孔(TSV)刻蚀设备Primo TSV200E™结构紧凑且具有极高的生产率,可应用于8英寸晶圆微电子器件、微机电系统、微电光器件等的封装。继中微第一代和第二代甚高频去耦合等离子体刻蚀设备Primo D-RIE™ 和Primo AD-RIE™之后,中微TSV刻蚀设备的单位投资产出率比市场上其他同类设备提高了30%。

+ Prismo D-BLUE:D-BlueTM刻蚀设备 专利结构体系能够协调最多4个电抗器,能够同时处理最多216个2英寸晶圆并且可以扩展到4、6、8英寸的晶圆产品,每个电抗器能够各自独立地控制一项发明设计以适应特殊的柔性制造。这仅仅是这种能力同类之中的一个刀具而已,这意味着它能够按照并行或顺序模式处理,这样能够降低交叉污染并确保所需的高结晶质量以适用于高级的LED应用。这款刀具的有效封装是无与伦比的,.相比于单电抗器系统小了近30%,制成的蚀刻能够智能地适合现今的LED工厂。