西安华芯半导体有限公司

公司名称:西安华芯半导体有限公司
英文名称:Xi'an Sinochip Semiconductors Co., Ltd.
所属地区:陕西省厂商类型:设计厂商制造厂商

公司简介

西安华芯半导体有限公司是在原奇梦达科技(西安)有限公司2009年8月改制重建的基础上发展起来的。公司从2003年作为德国英飞凌公司存储器事业部在西安成立,在2006年,伴随着存储器事业部从英飞凌全球拆分上市成为奇梦达,奇梦达科技(西安)有限公司也随之成立并开始作为一家独立的公司运营。在2009年世界金融危机中,浪潮集团山东华芯半导体有限公司收购原德国奇梦达科技(西安)有限公司进行转制并更名为西安华芯半导体有限公司。经过近五年的发展,目前公司拥有200余名员工,其包括国家“千人计划”专家、西安市“5211”计划海外高层次人才、外籍专家和海外留学归国人员10名,研发工程师170余人,70%拥有硕士或博士学位,公司拥有掌握核心设计测试技术的存储器和集成电路国际化团队。公司核心业务是动态随机存储器设计和专用集成电路设计开发服务,以及自有品牌存储器产品量产销售,同时还承担着国家科技重大专项“核高基”和国家高技术发展计划“863”等多个包括DRAM、SRAM、RRAM存储器领域的重大专项研究项目和课题,同时进行FLASH产品的研究开发。
西安华芯是国家发改委等五部委联合认定的“国家规划布局内集成电路设计企业”、科技部认定的“国家火炬计划重点高新技术企业”和“高新技术企业”、工信部认定的“集成电路设计企业”,并获得了挪威船级社的ISO9001:2008质量认证。公司拥有丰富的高端集成电路设计测试经验和完善严谨的产品开发流程管理及质量管理体系。


产品中心
DRAM 芯片
DDR

SCB25D1G800AF(2)
SCB25D1G160AE(3)
SCB25D1G800AE(2)
SCB25D1G160AF(1)
DDR2
SCB18T2G800AF(2)
SCB18T2G160AF(2)
SCB18T1G800AF(2)
SCB18T1G160AF(2)
DDR3
SCB15H2G800AF(2)
SCB15H2G160AF(2)
SCB15H1G800AF(2)
SCB15H1G160AF(2)
LPDDR
SCB18D1G800AFL(2)
SCB18D1G160AFL(2)
DRAM 模组
SO-DIMM

DDR2 SODIMM 1Rx8(2)
DDR2 SODIMM 2Rx8(2)
DDR2 SODIMM 1Rx8 I(1)
DDR2 SODIMM 2Rx8 I(1)
DDR3 SODIMM 1Rx8(4)
DDR3 SODIMM 1Rx8 L(2)
DDR3 SODIMM 2Rx8(1)
DDR3 SODIMM 2Rx8 L(1)
U-DIMM
DDR2 UDIMM 2Rx8(1)
DDR3 UDIMM 1Rx8(3)
DDR3 UDIMM 1Rx8(3)
R-DIMM
DDR2 VLP RDIMM 2Rx8(3)
DDR3 VLP RDIMM 1Rx8(2)
DDR3 RDIMM 2Rx8(2)
DDR3 RDIMM 1Rx8 L(1)
DDR3 RDIMM 2Rx8 L(1)
ECC-UDIMM
DDR3 ECC UDIMM 1Rx8(3)
DDR3 VLP ECC UDIMM 2Rx8(2)
DDR3 ECC UDIMM 2Rx8(1)
DRAM KGD
DDR DRAM(400Mbps)
LPDDR DRAM(400Mbps)
DDR2 DRAM(1066Mbps)
DDR3 DRAM(1600Mbps)

业务中心
ASIC & SoC 服务

Digital ASIC
具备从设计规格到芯片流片完整流程的设计经验,包括:设计实现、功能验证、综合和DFT、物理实现、时序和物理检查、流片。
SoC
提供通讯及SoC芯片的开发服务
Analog ASIC
具有多年的模拟集成电路设计经验,覆盖从输入输出、DLL/PLL、电源管理(Buck/Boost/LDO/Charge-Pump)、SRAM/DRAM电路的设计和版图实现
Memory 设计服务
拥有从产品立项、指标定义、电路设计、版图设计到硅片、颗粒、内存条测试及售前售后技术支持等全方位技术积累,所开发产品工艺技术包括从110nm、90nm、80nm和70nm的沟槽技术到65nm、46nm、45nm和38nm的叠层电容技术;设计的存储器芯片产品覆盖SDR、DDR、DDR2、DDR3、GDDR3及LPDDR DRAM,其中十多款产品在全球实现量产和销售;同时开发量产存储器模组产品包括服务器内存模组(RDIMM和FBDIMM)、笔记本内存模组(SODIMM)和台式机内存模组(UDIMM),在全球实现量产和销售。
Memory 测试服务
存储器产品量产测试(Advantest T5571/T5581/T5585/T5593)、设计验证和分析测试(Verigy93000、HP95000、 Mosaid、IMS)、内存模组应用测试,高低温测试环境、高频示波器等多种ATE测试机台和各种配套测试测量设备,可提供DRAM、FLASH、SRAM和逻辑产品的测试分析,以及颗粒和模组产品的小批量测试服务。

IP解决方案
DRAM 存储控制器(Controller)和物理接口(PHY )

Memory controller:65/40/28 nm DDR2/3/4 and LPDDR2/3
Memory PHY:40nm/28 nm DDR2/3/4, LPDDR2/3、65nm/55 nm DDR2, LPDDR3
存储器 IP
Embedded SRAM:65/55/40 nm e-SRAM and compiler
RRAM:HuaHong NEC technology
模拟 IP
Clock:DLL, PLL in SMIC 65/55/40 nm
IO Interface:ADC/DAC  in SMIC 65/55/40 nm
Power:LDO, Pump, PMU  in SMIC 65/55/40 nm、Bandgap, temperature sensor

质保体系证书
ISO9001