PN7103是一款基于P衬底、P外延的高压、高速功率MOSFET和IGBT高低侧驱动芯片。其浮地通道能工作在600V的高压下，可用于驱动2个N型功率MOSFET或IGBT组成的半桥结构。

Character：Half-Bridge driver

VOFFSET(max)：600V

IO+/-(typ.)：300/600mA

Vin：10V~20V

Ton/Off(typ.)：680&150ns

Deadtime(typ.)：520ns

OUT phase：Lo out of phase with LIN

Package：SOP8/SOIC8

中小功率电机驱动、功率MOSFET或IGBT驱动、半桥功率逆变器、全桥功率逆变器