电子元器件资料和参数

元器件型号:QCT20N60B

功能特点

•QCT20N60B是基于国内最先进的深沟槽super-junction MOSFET制造工艺,由矽睿半导体自主设计研发的一款高性能SJMOS产品。该款产品是专门针对PC电源、消费电子和照明市场进行研发的。该款产品具有漏电流低、导通电阻低、开关速度快、抗冲击能力强的优异特点。采用TO-220F封装形式,具有较强的抗干扰能力和较高的稳定性;20A测试条件下的Rds(on)仅124mΩ,相比市场上现有产品更有优势;另外,对Rds(on)和Qg参数进行了良好的折中,能够提供优越的导通和开关性能。

参数指标

•TO-220F封装

•雪崩击穿电压:650V

•高电流峰值承受能力

•更低的导通电阻

•更低的栅极电荷

•无铅无卤

•开关特性好,容易控制

•很强的抗干扰能力和稳定性

•高的动态雪崩能力

•高的可靠性

•低的导通损耗

•低的开关损耗

•符合ROHS标准,绿色环保

•简化电路拓扑结构

应用领域

显示器、台式机电源、变压器

QCT20N60B应用领域