PN7101是一款基于P衬底、P外延的高压、高速功率MOSFET和IGBT高低侧驱动芯片。其浮地通道能工作在600V的高压下，可用于驱动2个N型功率MOSFET或IGBT结构。

Character：High and Low side driver

VOFFSET(max)：600V

IO+/-(typ.)：300/600mA

Vin：10V~20V

Ton/Off(typ.)：160&150ns

Deadtime(typ.)：--

OUT phase：LO/HO in phase with LIN/HIN

Package：SOP8/SOIC8

中小功率电机驱动、功率MOSFET或IGBT驱动