电子元器件资料和参数

元器件型号:QGT25N120C2

功能特点

•QGT25N120C2是基于国内先进的非穿通沟槽型IGBT器件制造工艺,由矽睿半导体自主设计研发的一款高性能IGBT单管产品。该款产品采用25A IGBT芯片反向并联1200V FRD芯片的构架,主要应用于中小生活家电的功率变换电路,包括谐振和软开关电路拓扑,如电磁炉,IH智能电饭煲,微波炉,电水壶等。该款产品具有较高的电压阻断能力、低漏电流、低损耗、正温度系数、绿色环保等优异特点。采用TO-247封装形式,具有较低的热阻和较高的稳定性;额定电压1200V,典型值达到1400V以上,保证了较高的动态雪崩击穿能力;另外,对Vce(sat)和Eoff参数进行了良好的折中,能够提供优越的导通和开关性能。

参数指标

•TO-247双芯片封装

•雪崩击穿电压:1400V

•正向压降正温度系数

•低的正向压降

•低的关断能量

•无铅无卤

•反并联FRD

•低的热阻和散热器要求

•高的动态雪崩能力

•易于实现并联使用

•低的导通损耗

•低的关断损耗

•符合ROHS标准,绿色环保

•简化电路拓扑结构

应用领域

电饭煲、微波炉、洗衣机、电水壶

QGT25N120C2应用领域